收藏本站
Si4427BDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.030
0.025
6000
5000
0.020
0.015
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
4000
3000
C iss
0.010
0.005
0.000
V GS = 10 V
2000
1000
0
C rss
C oss
0
10
20
30
40
50
0
6
12
18
24
30
10
8
6
4
2
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 15 V
I D = 12.6 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 10 V
I D = 12.6 A
0
20
40
60
80
100
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
50
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.030
0.025
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
T J = 150 °C
0.020
I D = 12.6 A
10
0.015
1
T J = 25 °C
0.010
0.005
0.000
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72295
S09-0764-Rev. D, 04-May-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4430BDY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
SI4431BDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC
SI4435DDY-T1-E3 MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC
SI4435DY MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
SI4435DY MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
SI4448DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
SI4455-B1A-FM IC EZRADIO FM TRANSCEIVER SI4355
SI4462DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
相关代理商/技术参数
SI4427DY 功能描述:MOSFET 30V 13.3A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4427DY_05 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4427DY-E3 功能描述:MOSFET 30V 13.3A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4427DY-T1 功能描述:MOSFET 30V 13.3A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4427DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 13.3A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4429EDY 功能描述:MOSFET 30V 13A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4429EDY-E3 功能描述:MOSFET 30V 13A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4429EDY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30 Volt 13 Amp 3.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube